大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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